+7 (495) 770 03 33 справочная служба
Все новости
30 ноября 2021

Микрон начал серийное производство продукции для силовой электроники по технологии Trench MOSFET

ГК «Микрон» (входит в ГК «Элемент») запустил в серийное производство электронные компоненты промышленного применения на основе технологии Trench MOSFET с шагом ячейки 1 мкм на кремниевых пластинах диаметром 200мм.

«Технология Trench MOSFET позволяет значительно уменьшить сопротивление открытого канала транзистора при более высоких динамических характеристиках, что открывает широкие возможности применения в любых приборах и устройствах силовой электроники. В частности, для управления двигателями, построения высокоэффективных силовых коммутаторов, понижающих стабилизаторов с синхронным выпрямлением и прочих силовых цепей. Первые заказы мы получили от партнеров из Юго-Восточной Азии. В настоящее время портфель заказов почти полностью сформирован из экспортных контрактов», – пояснила директор по развитию производства АО «Микрон» Ирина Коротова.

MOSFET транзистор – один из самых распространенных электронных компонентов на мировом рынке. Он применяется в силовой электронике в составе устройств управления питанием, в автоматических контроллерах, в автоэлектронике, инверторах, генераторах, источниках вторичного питания, преобразователях, контроллерах двигателей, светотехнике и индикации, в промышленной электронике, телекоммуникационном оборудовании, энергетике.

На сегодняшний день «Микроном» освоен в серийном производстве сдвоенный N-канальный транзистор с низким сопротивлением канала в открытом состоянии и пробивным напряжением в 20В. Идет освоение других типономиналов по этой технологии, а также оптимизация техпроцесса для скорейшего вывода на рынок новых востребованных продуктов по доступным ценам.

К преимуществам Trench MOSFET относятся: возможность высокой плотности размещения транзисторов; пониженное сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии; высокие динамические характеристики и низкая мощность управления; высокая устойчивость к лавинному пробою; пониженный заряд затвора; малые потери мощности; меньшие габариты и масса по сравнению с планарным MOSFET.

Основными драйверами мирового рынка MOSFET транзисторов являются развитие энергетической инфраструктуры с приоритетом энергоэффективности, ответственная экологическая политика, в том числе, умные электросети и возобновляемая энергетика, а также развитие транспортного рынка и автомобилестроения, телекоммуникационного оборудования, вычислительной техники и мобильных устройств, в том числе устройств носимой электроники. Основными потребителем данной продукции на российском рынке являются компании – производители радиоэлектронного оборудования, в том числе, телекоммуникационного.
Микрон начал серийное производство продукции для силовой электроники по технологии Trench MOSFET

Последние новости

21
января - 2022

57 студентов прошли практику на дочернем предприятии ГК «Элемент» - ГК «Микрон» - в 2021 году

В 2021 году ГК Микрон (входит в ГК «Элемент»), крупнейший российский производитель и экспортер микроэлектроники, принял на производственную и преддипломную практику 57 студентов бакалавриата и магистратуры высших учебных и средних специальных образовательных учреждений Москвы.

21
января - 2022

ГК «Элемент» примет участие в развитии передовых технологий в рамках соглашения между АФК «Система» и МГТУ им. Н.Э. Баумана

ГК «Элемент» в рамках соглашения, которое заключили ПАО АФК «Система» и Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана, примет участие в развитии передовых технологий.

18
января - 2022

Продукция ГК «Микрон» и завода «Москабель» вошла в «100 лучших товаров России»

Решение, созданное в коллаборации заводов Микрон (входит в ГК «Элемент») и Москабель, вошло в «Золотую сотню» всероссийского конкурса «100 лучших товаров России» в категории «Продукция производственно-технического назначения».

16
декабря - 2021

ВЗПП-Микрон внедряет бережливое производство в рамках национального проекта «Производительность труда»

ВЗПП-Микрон, входящий в группу компаний Микрон (входит в ГК «Элемент), по итогам активной фазы национального проекта «Производительность труда» сократил на 10% производственный цикл на пилотном участке, организованном в рамках инициативы, и на 10% увеличил объем выпуска полупроводниковых кристаллов.

7
декабря - 2021

ГК «Элемент» организовала обсуждение, посвященное стратегическому развитию нового поколения микроэлектроники

ГК «Элемент» организовала онлайн-сессию по высокотехнологичному направлению «Новые поколения микроэлектроники и создание электронной компонентной базы».

6
декабря - 2021

Генеральный директор НИИМЭ, академик Геннадий Красников провел научный совет РАН

Генеральный директор АО «НИИМЭ» (входит в ГК «Элемент»), академик Геннадий Красников провел научный совет ОНИТ РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для ее создания» по теме «Развитие методов диагностики материалов и элементной базы».